PE—561型外延炉电阻率下限扩展的工艺研究

文章内容：8;一8叶,7专:)'一\-56型外延炉电阻率下限扩展的工艺研究等荚?/3.孙王典李兴凯摘要本文命蛔了在相甩浓度.寺磷姹,相嗣掺杂量曲苷悴下降韫外延层电阻率的王艺逢往.一<>言我厂从意大利公司引进的一56型立式外延反应系统具有中棚热石黑基座结构,计算机程序控制荨优点.用谈设备生产的外延片.其均匀性碴性和表面质量均达到了较高的水平但此设备由于没有掺杂蒯稀释系统.所电阻事的范围直接由掺杂剞浓度大小限9.使用浓度为100的癣烷时.其电阻率范围为0.5..～10..超出范围之外的产品.需要按卜其他浓度的磷烷皇不仅不利于生产.而且需要较长时间姓理系统和易产生沾污所以在市政窀瞬皖浓枣和掺杂量的条件下如何拓宽电阻率的范围.成为外延工苦员应当解决的问题二基本理论根据外廷掺杂理论.由亨利定律可知一:=～:11+其中阿:掺入外延层中的杂质浓度:混台气体中掺杂方孽的母压'的分压:硅鲁律的娘子密褰:享利定律常最由上面的公式可以看到透入蚪廷层中的杂质浓度叶与混台气体中掺杂利的廿厝成正比,出于硅蠡体的原子密度为常数.所以减小-1.的符压.增十1都可以增大.在相属掺杂量的每件下.要提高混合气体中磷烷的分压.可以通过降低履的主氢气漉量来达到.隆低.漉量后,.曲分匿也可耨降低由干翠利定律常教可以被看作是一表征气态物质在固体中溶解度妁物理量.物质的溶解是一个腰热过程一所以温度增加耐簋藏下降,祖度障医时簋就上升因此可¨通过以下途径来增加透入外延层中的杂质.从而降医外延展的电阻率1碱小反应时主氢气的濂量,碱,'',.的流量.'833牟慨生长一度.三,实验结果为了搠星起见,援】采用了拜十不同的程序进行对比分析.两个程序分别为4和5^.^4^14=80,+=80)=300=1.0肼=25=25=80=60=3=1005—:80=252一.:+80=803一=250;1504一:=1.5=35一:-20=108口:=0:=0===0:1=10—对比4和可阻看列,在程序的薷3班主氢流量不同,舒为000【和20『.诅度也不同.分别为60['和1150,在程序的帮5痄两个程序的!蕊重+1.&;的走小不一样.分别为25,ⅱ2口.其彖的参数两.卜程序完垒馆弱一用^4程序生产的外延片的电蛆率为0.50.甩程守生产的外延的电阻率为:.3.0.两牛程序生产酌外延片蚪遥层舶爵魔姐厨一均为.所以可以看到通过减小主氢气流量,降低生长温度.碡小4的流量.在相同浓度睹垸蛐0,.相同的掺杂量=100睁10毫对分舶篝静下.可砸达科降低电阻宰的月的四讨论里然遥过上途径可阻遗到降低电殂率的目的但其降低的艳围皂有条件的,有限的.不可片面在阵骶主氢气流量的同时,应讳意防止庸蚀现象的发生,周为?2,=:十当2流量太小对会产生付反应,降低温岌应当考落到考币窘起映陷的产生荨不和困素.1.的漉量也不应降得太小,否对生长速率尝太慢.所以应缘台考虑紧件的变化.下转奠87ⅲ●肿帅".一五?讨论由以上的对比实验可以看舅,在静雇上逢行一次生长,其外延层技有嚣1形成结,外廷层为型.说孵封麝中的堡采质避謦有墅杂质外廷屡中,巾仗和型杂质补偿.而且导致外蓬层反型.通过二次外延工艺先生长一肆詹重掺套的型蚪廷屡来阳挡+对底上的絷质进入到外延展深处一使已经扩散出的型杂质在避一重掺杂帽外延薄屡巾趸台镁掉这样,当进行二次外延生长时,由于一次朴延薄屡阻挡了对底墅杂质的向上扩散,保证了二次生长的外延层为型六,结论=次外延可以育效地使衬磺杂质卑外廷屡中扩敲,生长的外延层质量高..法简单易存.由于时问关系,没有耐砷埋片进行实验.'上接奠04曩】五.结论通过适当降低外延生长时主氢气的巅量,瓦应沮震殁1.的流量.可以进到降低电阻率的目的.我们实验得列的怖延片韵表面轼况是良姆的并利用,加工数批共计百片我广0系刊产品的外延片.改变用一58型外延护不能生产.0..以下电掰宰外延片的状.扩展了设备的吏用范围,增加譬济教益当然利用改变反应时生长温度,1.藏量和主氢气瀛量的办法嗣样可以扩展电阻率的上限,但由于葚改变的范围有限,对增大电噩宰柏意义不太.红五电子舱生产中的质量控制(■薹)王月辉(三辱荚)质量是产品的生命线,军品尤其知此.蛭年来.我国已广泛推广实芊亍垒面砸景管理体系变事后把蓑为生产过程中的层层把关,以及每个工序的质量监督拄韧,及耐反锁质量信息,把稳意消除在量韧甜段红五电子艟的生产过程正是麓精了这样一种管理体摹,城两使产品的可靠惶足产品质量不断提高,受到盛装厂的肯定.奉文靠舞我们在实际生产过程中?扶工艺生产的角度进行质量控的几点体会鲁1

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